三星与长江存储携手创新，混合键合技术助力NAND可靠性提升，揭秘新合作新篇章

三星与长江存储携手创新，混合键合技术助力NAND可靠性提升

随着科技的飞速发展，存储技术也在不断进步。近日，三星电子与长江存储达成了一项3D NAND混合键合专利许可协议，这一消息引起了业界的广泛关注。本文将围绕这一主题，以中立的态度，深入探讨混合键合技术对NAND可靠性的提升作用，并揭示这一新合作带来的新篇章。

首先，让我们回顾一下背景信息。三星电子与长江存储共同研发的混合键合技术，通过直接将两片晶圆贴合，省去了传统的凸点连接，从而缩短了电气路径，提高了性能和散热能力，同时优化了生产效率。这一技术在3D NAND制造中得到了广泛应用，并被命名为“晶栈”。长江存储通过全面的专利布局，掌握了这一技术的关键专利。

在此背景下，三星电子决定引入W2W混合键合技术，预计在2025年下半年开始量产下一代V10 NAND。这将有望解决随着层数增加带来的底层外围电路压力问题，从而提高芯片的可靠性。这一技术的引入，无疑将为NAND产品的发展注入新的活力。

值得注意的是，除了三星电子，全球其他存储器制造商如SK海力士也在积极开发适用于400层以上NAND产品的混合键合技术。未来他们也可能需要与长江存储签订专利授权协议。这一趋势预示着混合键合技术将在全球存储器产业中得到更广泛的应用。

然而，专利许可协议的达成并不意味着问题的结束。业界人士指出，目前掌握3D NAND混合键合关键专利的公司包括美国的Xperi、中国的长江存储和中国台湾的台积电。这意味着三星几乎无法绕过长江存储的专利布局。因此，三星选择了通过专利授权的方式来达成协议，以此来降低未来可能出现的法律和市场风险，并加速其技术研发进程。这一策略显示出三星对市场动态的敏锐洞察力以及对未来竞争格局的充分预见。

总的来说，三星与长江存储的这一合作不仅将推动混合键合技术的发展，更将为NAND产品的可靠性提升带来新的可能。这一创新性的合作不仅展示了双方在技术研发上的决心和实力，也预示着存储器产业未来发展的新方向。

展望未来，随着V10、V11、V12等后续NAND产品的开发，三星仍可能会依赖长江存储的专利技术。这不仅体现了双方在技术创新上的紧密联系，也展示了知识产权在推动科技进步中的重要作用。在这个过程中，知识产权的合理利用和尊重将成为双方持续合作的重要基础。

此外，这一合作还体现了双方在面对技术挑战时的合作精神。在层数增加带来的压力下，双方选择共同应对，通过引入新的技术来提升NAND产品的可靠性。这种合作精神不仅将推动技术的发展，也将为业界树立一个典范。

总的来说，三星与长江存储的这一合作是双方在技术创新上的重要一步，也是存储器产业发展的重要一环。通过混合键合技术的引入和应用，双方将共同推动NAND产品的可靠性提升，为业界带来新的可能性和机遇。我们期待着这一新合作带来的新篇章，并相信在双方的共同努力下，未来的存储器产业将更加繁荣昌盛。

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