某科技企业的高管在接受采访的时候表示当前能搞定7纳米已是很了不起的成就，那些动不动就吹嘘说突破5纳米、3纳米脱离了现实，这无疑是在当下躁动的社会中给予重锤，提醒各方不要过于狂妄自大。
该名高管表示我们芯片制造的技术与国际还有较大差距，婉转地说出芯片制造工艺并不能单纯靠人力来进行技术突破，设备才是芯片制造的关键，没有先进的设备，先进芯片制造工艺就无米下锅。
在开发先进芯片方面，应该转变思路，通过加强系统架构、软件算法和异构计算的研究，可以在技术上找到补偿，从而研发出高性能的芯片，在先进芯片技术竞争中找到独特的优势和特色。
这揭示了芯片制造的事实，芯片是一种高精密的产品，早已脱离了人力掌控的范围，需要借助多种先进设备实现。在芯片设计阶段，就已引入了现代化的芯片设计工具，高度密集的晶体管，完全不是人力画图能实现，需要借助计算机来进行绘图，然后交给芯片工厂的设备，芯片工厂的设备同样需要依赖先进的芯片工具来解释图纸然后生产芯片。
对于芯片制造来说，也早已超出了人力范围，这几十年芯片制造设备一直都在升级中，从早年的干式光刻机到浸润式光刻机，再到如今的EUV光刻机，这些先进的芯片设备实现了人力所未能达到的高度。
全球唯一能生产EUV光刻机的是ASML，而全球能生产光刻机的企业也只有4家左右，日本两家，中国一家，ASML是荷兰的，而7纳米以下的光刻机就只有ASML能生产，因为光刻机是高度精密的仪器，即使强如ASML，也只能生产EUV光刻机大约10%的部件，其他部件需要全球5000多家企业合作。
全球制造芯片技术最先进的仅有三星和台积电，美国的Intel曾是全球芯片制造技术领导者，不过从2014年量产14纳米之后，Intel就放缓了创新的步伐，而三星和台积电则保持了1-2年升级一代芯片制造技术的步伐，从而超过了Intel，成为芯片制造技术的领导者。
台积电又稍微领先三星一筹，不过强如台积电以现有的DUV光刻机也只是做到7纳米，随后台积电就引入EUV光刻机生产出7纳米EUV工艺，而且证明了EUV光刻机生产的7纳米工艺性能较DUV光刻机生产大幅提升了性能并降低了功耗。
台积电尚且无法实现以DUV光刻机生产5纳米，这里的专家却不断吹嘘可以DUV光刻机生产5纳米，甚至突破到3纳米，如今某科技企业的高管也忍不住了指出这太荒谬，人力终究有极限，以现有的DUV光刻机生产5纳米并不靠谱，7纳米已很可能就是极限，在无法得到先进的EUV光刻机之前，应该考虑的是芯片架构、软件算法等方面来提升整体性能，而不是虚妄的吹嘘以DUV光刻机生产5纳米。
技术是靠脚踏实地的研究推进的，绝不是靠吹嘘实现的，浮躁无法实现先进技术，某科技企业的高管无疑给这种浮躁淋了一盆冷水，让各方好好反思一下吹牛的风气，思考下如何研发才是正确的方向，错误的方向最终只会浪费资源，无法实现先进技术。
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