外媒报道指被用于2纳米的第二代EUV光刻机将在明年交付，不过产量将只有10台，其中6台已优先给予美国的芯片企业Intel，剩下的4台将被三星、台积电、SK海力士等争夺，台积电未必能抢到。
台积电和三星当下以第一代EUV光刻机生产3纳米都遇到了麻烦。台积电继续采用成熟的FinFET技术，以第一代EUV光刻机生产3纳米，良率为55%，不如5纳米的九成以上良率，还导致生产的A17处理器性能提升仅一成、功耗过高。
三星激进地采用GAA技术，以第一代EUV光刻机生产3纳米，性能提升幅度未知，不过良率低至一到两成，这也导致三星的3纳米至今不知客户是谁，业界认为没有客户采用，因为3纳米的成本本来就高，低至两成以下的良率更导致成本高到天上去，没有芯片企业能够承受。
如果3纳米能采用第二代EUV光刻机生产，预计良率可以得到大幅提升，而且性能会更好，毕竟第二代EUV光刻机的光刻更精准、耗电量更小，这样付出的成本代价才能获得足够的性能提升。
3纳米用第一代EUV光刻机尚且无法获得经济的生产成本，那么就更不可能用第一代EUV光刻机生产2纳米了，这是导致第二代EUV光刻机尚未正式量产就被多家芯片企业争夺的重要原因，而且这对于美国芯片行业来说还有独特的意义。
美国芯片的制造巨头是Intel，Intel在2014年量产14纳米两年之后，都仍然保持着全球最先进芯片制造企业的名号，不过随着台积电、三星等将芯片制造工艺推进到10纳米以下，而Intel却只能继续对14纳米改良再改良，美国就失去了芯片制造工艺的优势了。
为了重夺芯片制造领先地位，美国对台积电和三星可谓软硬兼施，又是技术限制威胁，又是给出520亿美元芯片补贴的胡萝卜，最终促使台积电和三星都上交了机密数据，还赴美设厂。
台积电不仅同意赴美设厂生产4纳米，还同意投资400亿美元在美国建设最先进的3纳米工艺，还在美国的逼迫下上交了机密数据，可以说台积电对美国已彻底交心了。
后来美国的做法却说明台积电并未被它视为自己人，先是在芯片补贴分配方面糊弄了台积电，只给予台积电10%的芯片补贴，补贴份额还不如三星的13%，后来更给出芯片补贴细则，要求台积电共享技术和利润，如此台积电感觉补贴拿了不划算，计划舍弃补贴。
再到如今美国要求ASML将2纳米光刻机优先交给Intel，这更是说明美国的目的还是扶持本土芯片企业Intel；ASML也不得不如此做，因为EUV光刻技术掌握在美国手里，当初就是美国将EUV光刻技术交给ASML而不日本的佳能、尼康导致日本光刻机产业的衰败，自然ASML得听美国的话。
Intel预计拿到2纳米光刻机之后，Intel相当于2纳米的工艺将在2025年量产，而台积电至少得等到2026年，这中间或许还会有其他手段阻碍台积电发展2纳米工艺，美国重夺芯片制造工艺领先优势已几乎是板上钉钉了。
可以看出美国为了确保Intel再次取得芯片制造工艺领先优势，必然会使出诸多手段，阻碍台积电的2纳米工艺先于Intel量产，业界认为无论台积电如何亲近美国，美国都会打压它而扶持Intel，台积电这次在先进工艺制程方面真的被美国卡脖子啦。
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