12月17日消息，国内首家多层外延工艺高压SJ MOSFET和SJ IGBT器件供应商超致半导体完成数千万元A轮融资，由聚卓资本、某知名产业基金共同完成本轮投资，盈杉资本担任独家财务顾问。
本轮融资完成后将主要用于开发全系列600V Trench FS IGBT和SJ IGBT、开发第3代多层外延超结MOS(pitch：7um)等产品。
上海超致半导体科技有限公司成立于2015年，是一家专注于高端功率器件的半导体产品公司。目前超致半导体是国内首家多层外延工艺的超结MOS供应商(和英飞凌/ST相同工艺)，已经有了第一代和第二代的多层外延工艺从500V到800V全系列的超结MOS产品。超致SJ-MOSFET的第一代产品，性能和可靠性接近英飞凌C3，动态特性接近C6，能完全替代英飞凌C3或C6产品。
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