（悻眓/文）三星电子已经下单购买了一种新型先进的芯片制造设备，旨在增加其高带宽内存（HBM）芯片的生产产量，以赢得人工智能处理器制造商NVIDIA的业务，路透社报道。
据路透社援引多个消息来源称，这家韩国芯片制造商将采用首次由竞争对手SK Hynix使用的大规模再流焊模制封装（MR-MUF）技术，以提高其HBM芯片的产量。由于正在进行测试，使用新方法的大规模生产最早要到明年才能开始。
三星否认正在转换技术，声称目前的非导电膜（NCF）方法是“最佳解决方案”，将用于制造新的HBM芯片。
但消息人士告诉路透社，三星将在未来的高端芯片中同时使用两种技术，指出使用NCF的最新HBM芯片的产量为10%到20%，而SK Hynix的产量为60%到70%。
据报道，三星正在讨论从各种供应商那里采购MUF材料，包括日本的Nagase。
该公司在去年年底表示，已经开始向客户提供其最新的HBM芯片，HBM3E样品，预计今年上半年将开始大规模生产。
TrendForce在去年年底表示，其研究显示Nvidia计划多样化其HBM供应商，以实现“更健壮和更有效的供应链管理”。
在一月底的财报电话会议上，SK Hynix首席财务官Kim Woohyun强调了该公司在2023年第四季度收入的显著增长，他将其归功于其在人工智能内存领域的“技术领先地位”。
免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。
