受益于新能源汽车、5G、光伏设备等领域发展,碳化硅(SiC)投资成为热点。
《科创板日报》记者获悉,SK海力士无锡投资公司已入股SiC晶圆厂商泰科天润,参与了其D轮融资,SK海力士无锡公司是SK海力士子公司。
这是SK海力士在中国第一笔碳化硅相关项目的投资。对于此次融资,《科创板日报》记者进一步联系采访泰科天润,但截至发稿未获回应。
《科创板日报》记者从行业人士获悉,此前SK集团便有关于SiC晶圆的产能计划,计划从今年的3万片增加至2025年的60万片。
实际上,SK集团近年来在碳化硅领域动作不断。今年1月,SK集团向生产SiC功率半导体的韩国企业Yes Power echnologies投资268亿韩元,收购该公司33.6%的股份。
碳化硅是第三代半导体材料的代表之一,与前两代半导体材料相比的优势便是较宽的禁带,保证了其可击穿更高的电场强度,适合制备耐高压、高频的功率器件,是电动汽车、5G 基站、卫星等新兴领域的理想材料。
根据IHSMarkit数据,2018年碳化硅功率器件市场规模约3.9亿美元,受新能源汽车庞大需求的驱动等,预计到2027年碳化硅功率器件的市场规模将超过100亿美元。
根据Yole的预测,得益于5G基站建设和雷达下游市场的大量需求,用于氮化镓外延的半绝缘型碳化硅衬底市场规模取得较快增长,半绝缘型碳化硅衬底市场出货量(折算为4英寸)将由2020年的16.58万片增长至2025年的43.84万片,期间复合增长率为 21.50%。
国内来看,碳化硅领域企业包括山东天岳先进、中车时代电气,两者均在科创板上市,此外,晶盛机电、基本半导体以及臻驱科技等近来也获融资,加码碳化硅领域。
碳化硅器件代工领域,国内企业包括中车时代电气、华润微(688396.SH)以及泰科天润等,其中泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。目前泰科天润的碳化硅器件 650V/2A-100A,1200V/2A-50A,1700V/5A -50A,3300V/0.6A-50A 等系列的产品已经投入批量生产。
在SiC外延的研发和量产方面,瀚天天成旗下产品已切入国际市场,SiC IDM则主要有泰科天润、世纪金光、基本半导体、中电科15所、中电科13所等。从产业链来看,SiC衬底是碳化硅器件的核心难点,国内涉及山东天岳等。
国际市场来看,碳化硅较为发达地区包括美国、日本及欧洲,其中美国CREE在碳化硅晶圆市场市占率超60%。
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