继中芯国际续单ASML光刻机后，国产半导体光刻胶领域再迎喜讯。
周一（8日）盘后，上海新阳公告称，经各方积极协商、运作，ASML-1400光刻机设备于今日已进入合作方北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司场地，后续将进行安装调试等相关工作。公司采购的ASML干法光刻机设备顺利交付，对加快193nm ArF干法光刻胶产品开发进度有积极影响。
值得一提的是，天眼查显示，合作方北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司大股东为芯链融创集成电路产业发展（北京）有限公司，后者由北京凯世通半导体有限公司在内的26个国内半导体优质公司共同出资组建。中芯国际、北京亦庄则占比各为25%并列为第二大股东。
立项4年屡遭挫折 国产替代浪潮下终现曙光
对于上海新阳本身来说，ASML干法光刻机设备顺利交付意义非凡。公开资料显示，早在2016年底，上海新阳即已立项研发193纳米干法光刻胶，但在随后的研发过程中进展屡遭挫折。
2018年3月，上海新阳和上海逸纳共同出资设立芯刻微，从事193nm干法高端光刻胶产品的研究与产业化工作，但双方于次年5月终止合作；同年12月，公司以自有资金投资江苏博砚电子科技有限公司，持有博砚电子公司10%的股权，后者主要从事平板显示产业用相关光刻胶产品的开发、生产。
2019年10月，上海新阳启动合肥第二生产基地项目的建设。合肥基地占地115亩，总投资约6亿元。按照部署，一期计划投资3亿元，占地50亩，达产后形成年产15000吨超纯化学材料产品的生产能力。根据公司在定增公告中所说，此次定增拟将部分资金投资于该项目。
进入2020年，上海新阳在该项目上的投入越发激进。8月，公司公告拟定增募资不超15亿元，其中7.32亿元用于集成电路制造用高端光刻胶研发、产业化项目。主要开发ArF干法工艺使用的光刻胶和面向3D NAND台阶刻蚀的KrF厚膜光刻胶产品，力争于2023年前实现上述产品的产业化。
11月，公司再次公告拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过14.5亿元，其中8.15亿元再投上述项目。若项目按计划进度进行，预计KrF厚膜光刻胶2021年开始实现少量销售，2022年可实现量产，预计ArF（干式）光刻胶项目在2022年可实现少量销售，2023年开始量产，预计当年各项产品销售收入合计可达近2亿元。
东吴证券分析师柴沁虎去年3月16日报告曾指出，上海新阳一直致力于进行半导体用光刻胶的产业化，虽然中间走过一段弯路，但参股博砚电子后，可以有效借鉴博砚电子的成功经验。同时，公司和博砚电子也有一定程度的产业协同，认为公司是国内最有可能率先在集成电路制造用高端光刻胶取得实质性突破的企业。
阿斯麦关键设备“松绑” 国产高端光刻胶持续突破
去年以来，国产替代浪潮席卷半导体行业，而光刻胶作为半导体光刻工艺的核心材料，决定了半导体图形工艺的精密程度和良率，成为了其中最受瞩目的环节之一。
2020年12月17日，南大光电公告称，控股子公司宁波南大光电自主研发的193nm ArF光刻胶产品成功通过客户的使用认证，标志国内第一支通过产品验证的国产ArF光刻胶就此诞生，意味着长期被国外垄断的ArF光刻胶终于迈出了国产化的第一步。
据了解，按不同制程，半导体用光刻胶可分为EUV光刻胶、ArF光刻胶、KrF光刻胶及G线、i线光刻胶，前三者均为高端光刻胶产品，产业信息网数据显示，截至2019年国内在g线/i线光刻胶仅达到20%自给率，而KrF光刻胶自给率不足5%，ArF光刻胶则完全依赖进口。
高端光刻胶国产替代艰难的背后，是其研发过程中对高端光刻机的严重依赖。由于在研发光刻胶的过程中需要有对应光刻机的支持，规模量产后需要在光刻机上不断调试。而先进光刻机价格昂贵，国内半导体材料公司难以承受，因而高端光刻胶基本被日本及欧美垄断。
就在本月3日，中芯国际公告称，与荷兰光刻机制造商阿斯麦签订购买单，金额达12.02亿美元。另据《科创板日报》1日独家获悉，为中芯国际提供高制程（14nm及以上）工艺部分产品所需设备的美国设备商，已获美许可证。
对此，华金证券胡慧团队3月7日报告认为，中芯国际14nm及以上成熟制程禁令“松绑”，代表着我国大陆晶圆代工龙头在成熟制程上的发展前景进一步明朗，预期未来将有更多美国设备供应商获得供应许可。
中金公司彭虎团队同日报告也指出，半导体设备和材料是高端制造业发展的基础，结合中芯国际潜在成熟制程获取美国设备许可证，建议关注上游设备及原材料的机会。
另据华泰证券胡剑团队2020年11月18日报告，在半导体供应链安全逐渐得到重视的背景下，国产光刻胶研发和量产或将提速，国内厂商纷纷计划在被日美垄断的半导体光刻胶领域扩大投入，并在高端ArF光刻胶领域研发和量产持续突破。
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