三星在韩扩大第六代V-NAND闪存芯片产能：传投资总额达65亿美元

北京时间6月2日早间消息（蒋均牧）三星开始在韩国的一家工厂建造第二条闪存生产线，以跟上中长期因人工智能、物联网和5G技术广泛应用所驱动的需求增长。

该公司计划于2021年下半年在首尔以南70公里的平泽（Pyeongtaek）大规模生产其最新的V-NAND芯片。据韩联社报道，尽管它并未透露扩大产能的投资规模，但消息人士估计总额约为8万亿韩元（C114注：约合65亿美元）。

三星电子存储器全球销售与市场部执行副总裁Choi Cheol在一份声明中表示：“新的投资重申了我们保持在内存技术领域无可争议的领先地位的承诺，即使在不确定的时期（任然如此）。”

三星是世界上最大的闪存制造商。

今年3月中旬，该公司在中国西安的工厂开始大规模生产第五代V-NAND，以满足旗舰和高端智能手机市场的需求。新的512GB闪存单元的写入速度超过1.2GB/s，比之前的版本提高了三倍。

当时，三星表示，计划将平泽工厂的V-NAND生产从第五代切换到第六代，以更好地应对不断增长的需求。

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