(高靖宇/文)3月17日消息,三星电子今日宣布,已经开始大规模生产面向智能手机的512GB嵌入式通用闪存eUFS 3.1。
UFS3.1是固态技术协会(JEDEC)发布的一种闪存存储规范,对比前一代UFS 3.0,UFS3.1的写速提升了200%,达到了惊人的1200MB/s,连续读取速度可达2100MB/s,随机读取和写入速度分别为100,000 IOPS(每秒输入/输出操作)和70,000 IOPS,在读写速度上都有着明显的提升,不论是文件传输效率或者应用的启动速度,都能得到全面的提升,让用户获得更好的使用体验。
UFS3.1被认为是2020年旗舰手机首选,它可以更好的适应8K视频拍摄、高像素相机以及5G应用场景。三星表示,其已经开始在西安的新生产线(X2)量产第五代V-NAND,以完全满足高端智能手机市场的存储需求。
免责声明:本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿,凡在本网站出现的信息,均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性,但不保证有关资料的准确性及可靠性,读者在使用前请进一步核实,并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时,应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明,并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后,将会依法尽快联系相关文章源头核实,沟通删除相关内容或断开相关链接。