从晶圆到颗粒 东芝教你造闪存

走进东芝存储位于日本四日市的闪存制造工厂，这里是全球规模最大的半导体工厂之一，自创立以来一直从事半导体存储产品的生产，目前已建成Fab1至Fab6共六个制造车间，全球三成以上的闪存芯片从这里诞生。

东芝的闪存制造车间分为上下两层结构，生产线融汇人工智能等技术，实现了高度自动化。

闪存的生产在无尘环境当中进行，位于屋顶的自动化传送装置负责将闪存送往不同工序进行加工。

晶圆首先进行加热，形成氧化膜。这层氧化膜在闪存单元中起到了隧道氧化层的作用，用于保持上方浮栅结构中电子，并允许在特定电压下电子能够从中穿透，从而完成闪存的数据读写功能。

注入特殊气体形成多晶硅。多晶硅在闪存单元中起到浮栅结构的作用，其中可以储存电子并表达数据信息。

通过光刻工艺制成精细的电路图形：

去除已感光部分的光刻胶：

使用等离子体腐蚀没有被光刻胶覆盖的部分：

将离子注入经过腐蚀处理的部分，形成储存信息的存储单元：

接下来在上面加入绝缘膜，制作线路层，然后经过化学机械研磨，磨平绝缘层上的凸起，然后进行接触孔蚀刻。

热处理使部分金属蒸发，形成连接存储单元的线路：

各工序通过自动传输带相连，在制造过程中晶圆一边移动一边接受各工序的加工：

制造完成的晶圆经过各种检测之后进入封装工序，晶圆在这里首先被切割成芯片：

此时的芯片还缺少外部引脚，需要将它封装到基板上。在机械手的工作下芯片被精准的固定在基板的指定位置：

再通过引线键合技术使芯片与基板相连。引线键合是封装中的主要互联技术之一，像高科技缝纫机一样利用极细的线将芯片缝到基板之上。在大容量的闪存颗粒当中，东芝还会使用更高端的TSV硅通孔技术完成多层芯片的高级封装。

接着用树脂封装位于基板上的芯片：我们平时看到的闪存颗粒黑色外观就源自封装所用的树脂材料。

在通过了极端温度、极端电压等重重检测之后，性能与质量达到要求的产品才会被打上东芝存储器的商标并出货，即东芝原厂闪存。

1987年，东芝发明NAND闪存，从而开启了一个全新的时代，几乎每一台智能数码产品都包含有记忆信息的闪存元件。东芝于1991年量产闪存，2007年宣布世界上首个3D闪存技术，始终推动信息化社会迭代，影响了全球每一个人的生活。今年东芝宣布搭载QLC技术的BiCS4(96层堆叠)闪存，单颗就能实现1.33TB的存储容量，使得每个消费者都有机会用上容量更大、价格更便宜的固态硬盘。

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。