SK海力士第五代10纳米级DDR5 DRAM 全球首次开始数据中心兼容性验证

5月31日消息，SK海力士宣布，已完成现有DRAM中最为微细化的第五代10纳米级（1b）技术研发，并将适用其技术的DDR5服务器DRAM提供于英特尔公司（Intel®）开始了“英特尔数据中心存储器认证程序（The Intel Data CenterCertified memory program）”。此程序是英特尔的服务器用第四代至强®可扩展平台（ Intel® Xeon® Scalable platform）所采用的存储器产品兼容性的正式认证流程。

SK海力士向英特尔提供的DDR5 DRAM产品运行速度高达6.4Gbps（每秒6.4千兆比特），公司技术团队实现了目前市面上DDR5 DRAM的最高速度。与DDR5 DRAM初期阶段的试制品相比，数据处理速度提升了33%。

另外，公司在此次1b DDR5 DRAM上采用了“HKMG（High-K Metal Gate）”工艺，与1a DDR5 DRAM相比功耗减少了20%以上。

SK海力士强调：“通过1b技术的研发成功，将可向全球客户供应高性能与高效能功耗比兼备的DRAM产品。”

SK海力士DRAM开发担当副社长金锺焕说道：“就如于公司在今年1月将第四代10纳米级（1a）DDR5服务器DRAM适用到英特尔®第四代至强®可扩展处理器（4thGen Intel® Xeon® Scalable processors），并在业界首次获得认证，此次1bDDR5 DRAM产品验证也会成功完成。”

金副社长又说到：“有预测称从今年下半年起存储器市场状况将得到改善，公司将以1b工艺量产等业界最高的DRAM竞争力水平加速改善今年下半年业绩。又计划在明年上半年将最先进的1b工艺扩大适用于LPDDR5T和HBM3E产品。”

另外，SK海力士表示，为了将已完成一轮兼容性验证的1a DDR5DRAM适用于英特尔下一代至强®可扩展平台的追加认证流程也正在同步进行中。

<SK海力士DDR5 DRAM开发成果>

2020年10月，推出全球首款DDR5 DRAM

2021年12月，全球首次提供24Gb DDR5 DRAM样品

2023年1月，全球首获1a DDR5服务器DRAM英特尔认证

2023年4月，全球首次向英特尔提供1b DDR5服务器DRAM样品

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。