GlobalFoundries收购瑞萨导电桥接随机存取存储器（CBRAM）技术

2月10日消息，GlobalFoundries（GF）近日宣布，它已经收购了瑞萨电子公司（Renesas）的专利和经过生产验证的导电桥接随机存取存储器(conductive- bridging RAM;CBRAM)技术，这是一种低功耗的存储器解决方案，旨在实现家庭和工业物联网以及智能移动设备的一系列应用。

这项交易进一步加强了GF的存储器产品组合，并通过增加另一种可靠的、可定制的、相对容易集成到其他技术节点的嵌入式存储器解决方案，扩展了其嵌入式非易失性存储器（NVM）解决方案的路线图。具体而言，这项技术将使客户能够进一步区分其SoC设计，并推动新一代安全和智能设备的发展。

"我们致力于使我们的技术组合与众不同，成为我们客户今天和未来几十年的节能物联网应用的基础，"GF首席业务官Mike Hogan说。"通过收购这项创新的存储技术，GF现在在加速开发NVM解决方案方面发挥着至关重要的作用，这将使我们的客户能够设计出下一代的智能和互联设备。CBRAM技术释放了性能和超低能耗的新模式，使从可穿戴设备到智能手机的各种应用，在特定的使用情况下，将电池充电的间隔时间从几小时延长到几周甚至几年。"

CBRAM的低功耗、高读/写速度、降低制造成本以及对恶劣环境的耐受性，使其特别适用于消费、医疗和部分工业应用。2020年，GF与Dialog半导体公司（该公司于2021年被瑞萨公司收购）达成了一项许可协议，将其CBRAM技术作为一种嵌入式、非虚拟的选择。今天，CBRAM正在该公司的22FDX®平台上进行鉴定，并计划将其扩展到其他平台。

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