美国同意三星和SK海力士向其中国工厂提供设备

10月10日消息，10月9日，韩国总统办公室通报，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其它许可。

据《中国基金报》报道，韩国总统办公室经济首席秘书崔相穆在首尔龙山总统府大楼举行的记者会上表示，美国政府作出最终决定，将无限期豁免三星电子和SK海力士向其在华工厂提供半导体设备，无需其它许可。

崔相穆透露，美方已将这一决定通知三星电子和SK海力士等相关企业，将自即日起生效。

全球最大和第二大存储芯片制造商三星和SK海力士已在中国的芯片生产设施投资数十亿美元，并对此举表示欢迎。

此前，韩国半导体企业在国内扩产，买设备，需要美国批准。

美国2022年10月颁布了禁止美企向中国半导体生产企业出口部分尖端半导体生产设备的规定。不过，在三星和SK海力士的强烈反对下，两家韩企的在华工厂获得了进口相关设备的豁免权，无需向美政府申请额外许可，豁免期限为1年，至2023年10月11日。

9月22日，产业通商资源部长官方文圭在首尔会见了美国商务部副部长唐·格雷夫斯，寻求美国商务部的“积极合作”，以解决芯片出口管制和投资补贴方面的不确定性。

另外，2023年3月，美国商务部发布了《芯片和科学法》中的所谓“护栏条款”，对获得美国补贴的半导体制造商的在华业务施加严格限制。

2023年5月，韩国政府对“护栏条款”提出正式意见，认为条款不能以给在美国投资的企业带来不正当负担的方式履行。

韩国《中央日报》分析称，由于美国的技术控制和出口限制，韩国正失去中国巨大的半导体市场。如果中国的半导体自主速度加快，高度依赖半导体产业的韩国经济必然会蒙受损失。

韩国2023年的国税收入将较预期减少59万亿韩元（约合3247亿元人民币），主要原因之一就是半导体企业业绩不振。

三星和SK海力士在中国市场深耕多年。三星电子在中国西安生产NAND闪存，SK海力士在无锡工厂生产DRAM芯片，在大连生产NAND闪存，两家公司都投资了数十亿美元。

Trend Force集邦咨询的数据显示，截至2023年6月末，这两家韩国企业控制着全球近70%的动态半导体存储器（DRAM）和50%的闪存芯片（NAND）市场。

据英国《金融时报》8月6日报道，韩国国会议员兼半导体专家梁香子接受采访时批评了拜登政府的芯片战略，称遏制中国获取或生产先进芯片能力的做法，有可能破坏美国与亚洲盟友的关系。

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。