SK海力士开发出新HBM3E内存:用于AI行业

8月21日消息,SK 海力士 21日宣布,成功开发出面向 AI 的超高性能 DRAM 新产品 HBM3E,并开始向客户提供样品进行性能验证。

HBM(High Bandwidth Memory)是指垂直连接多个 DRAM,可显著提升数据处理速度,HBM DRAM 产品以 HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发。HBM3E 是 HBM3 的扩展(Extended)版本。

SK 海力士表示,新品最高每秒可以处理 1.15TB(太字节)的数据。其相当于在 1 秒内可处理 230 部全高清(Full-HD,FHD)级电影(5 千兆字节,5GB)。将从 2024 年上半年开始投入 HBM3E 量产。

SK 海力士技术团队在该产品上采用了 Advanced MR-MUF 最新技术,其散热性能与上一代相比提高 10%。HBM3E 还具备了向后兼容性(Backward compatibility),因此客户在基于 HBM3 组成的系统中,无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。

据悉,新产品将用于英伟达的新一代 AI 计算产品。

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2023-08-21
SK海力士开发出新HBM3E内存:用于AI行业
用于英伟达AI计算硬件。

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