新思科技与三星合作，加速推广变革性3纳米GAA技术

7月12日消息，新思科技（Synopsys）近日宣布，其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统（SoC）一次性成功流片，验证了下一代3纳米（nm）环绕式栅极（GAA）工艺技术在功耗、性能和面积（PPA）方面的优势。此次流片成功是新思科技和三星之间广泛合作的成果，旨在加快提供高度优化的参考方法学，实现全新3D晶体管架构所固有的卓越功耗和性能。

新思科技提供的参考流程全面部署了其高度集成的Fusion Design Platform，包括业界唯一高度集成的、基于金牌签核引擎的RTL到GDSII设计流程，以及最受业界信赖的金牌签核产品。采用三星最新3nm GAA工艺的客户，可在高性能计算（HPC）、5G、移动应用和人工智能(AI) 应用领域, 为下一代设计实现理想PPA目标。

三星晶圆设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示：“三星晶圆是推动下一阶段行业创新的核心，我们基于工艺技术的持续演进，来满足专业和广泛市场应用日益增长的需求。我们全新的先进3纳米GAA工艺得益于我们与新思科技的广泛合作，Fusion Design Platform让我们加速实现3纳米工艺的前景，这也充分彰显了与行业领先者合作的重要性和优势。"

根据摩尔定律，晶体管尺寸要进一步缩小，而GAA架构为更高的晶体管密度提供了经过流片验证的途径。GAA架构改进了静电特性，从而可提高了性能并降低了功耗，并带来了基于纳米片宽度这一工艺矢量的全新优化机会。这种额外的自由度与成熟的电压阈值调谐相结合，扩大了优化解决方案的空间，从而更精细化地控制总体目标设计PPA指标的实现。新思科技和三星开展密切合作，加速这一变革性技术的可用性并进一步提高效能，从而在新思科技的Fusion Compiler™和IC Compiler™II中实现了全流程、高收敛度优化。

不断优化的新思科技Fusion Design Platform为应对来自先进节点的各种挑战提供了完美的解决方案，这些挑战包括复杂的库单元摆放和布局规划规则、新的布线规则和更加明显的工艺变化。基于单一数据模型以及共享通用优化架构，Fusion Design Platform平台可确保单点技术更新也能够帮助设计的优化收敛、尽可能消除系统裕度，以实现更快的收敛周期。

新思科技数字设计事业部总经理Shankar Krishnamoorthy表示：“GAA晶体管结构是工艺技术进步的关键转折点，对于延续工艺进步趋势至关重要，为下一波超大规模创新提供保障。我们与三星晶圆的战略合作，旨在共同提供一流的技术和解决方案，确保工艺进步趋势的延续，为更广泛的半导体行业带来全新机会。"

关于3纳米GAA工艺的新思科技技术文档可通过三星晶圆获取。新思科技Fusion Design Platform中经过验证的关键产品包括：

数字设计

*Fusion Compiler是业界唯一的RTL到GDSII产品

*IC Compiler II布局布线解决方案

*Design Compiler® RTL综合解决方案

签核

*PrimeTime®业界金牌标准时序签核解决方案

*StarRC™寄生参数提取-签核解决方案

*IC Validator™物理签核解决方案

*SiliconSmart®库特性描述解决方案

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