7月12日消息，SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb）LPDDR4 移动端DRAM产品。
* LPDDR4 (Low Power Double Data Rate 4) – 专为移动终端开发的低功耗DRAM规格。“DDR” 为电子工程设计发展联合协会（Joint Electron Device Engineering Council，简称JEDEC）规定的DRAM规格标准名称，DDR1-2-3-4为其顺序进行换代。
自从10纳米级DRAM产品开始，半导体业内将每一代工艺节点都以标注英文字母的方式起名，此次SK海力士量产的1a纳米级工艺是继1x（第一代）、1y（第二代）、1z（第三代）之后的第四代工艺节点。公司预计从下半年开始向智能手机厂商供应适用1a纳米级技术的移动端DRAM。
此次量产的产品是SK海力士首次采用EUV技术进行量产的DRAM，其意义非凡。SK海力士在此前生产1y纳米级产品过程中曾部分采用了EUV技术，事先完成了对其稳定性的验证。
* EUV (Extreme Ultraviolet)：指利用极紫外线的光刻设备
工艺的极度细微化趋势使半导体厂商陆续导入EUV设备，并将其投入在晶圆上绘制电路的光刻工艺当中。业界认为采用EUV技术的水平将成为今后决定技术领导地位的重要因素。SK海力士通过此次量产确保了EUV工艺技术的稳定性，并表示未来的1a纳米级 DRAM都将采用EUV工艺进行生产。
SK海力士期待通过新产品生产效率的提升得以确保更高的成本竞争力。相较前一代1z纳米级工艺的同样规格产品，1a纳米级DRAM在每一张晶圆中可产出的产品数量约提高了25%。 在今年全球DRAM需求持续增长的背景下，公司期待1a纳米级DRAM在全球存储半导体供需中扮演重要角色。
此次新产品稳定支持 LPDDR4 移动端DRAM规格的最高速度（4266Mbps），并相较前一代产品其功耗也降低了约20%. SK海力士认为此次新产品进一步强化了低功耗的优势，助力碳排放量的减少，充分体现了SK海力士注重ESG（环境、社会、公司治理）经营的精神理念。
在本次LPDDR4产品之后，SK海力士还计划从明年初开始将1a纳米级工艺导入于去年十月推出的全球首款DDR5 DRAM。
SK海力士1a纳米级DRAM领导小组（Task Force）的曹永万副社长表示：“此次量产的1a纳米级DRAM在生产效率和成本竞争力层面都有改善，从而可以期待更高的盈利。通过将EUV技术全面导入量产程序，SK海力士有望进一步巩固引领尖端技术的高新企业地位。”
- 蜜度索骥：以跨模态检索技术助力“企宣”向上生长
- 特斯拉CEO马斯克身家暴涨，稳居全球首富宝座
- 阿里巴巴拟发行 26.5 亿美元和 170 亿人民币债券
- 腾讯音乐Q3持续稳健增长：总收入70.2亿元，付费用户数1.19亿
- 苹果Q4营收949亿美元同比增6%，在华营收微降
- 三星电子Q3营收79万亿韩元，营业利润受一次性成本影响下滑
- 赛力斯已向华为支付23亿，购买引望10%股权
- 格力电器三季度营收同比降超15%，净利润逆势增长
- 合合信息2024年前三季度业绩稳健：营收增长超21%，净利润增长超11%
- 台积电四季度营收有望再攀高峰，预计超260亿美元刷新纪录
- 韩国三星电子决定退出LED业务，市值蒸发超4600亿元
免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。
