兆易创新靠长鑫DRAM拓展市场 代价呢？

2021年4月25日，近日兆易创新发布了2020年年度报告。报告中可以看出兆易创新的主营业务毛利率在降低、在境外地区的主营业务毛利率也在降低。

而兆易创新则表示毛利率下降主要是受DRAM产品业务毛利率低的影响。

兆易创新宣称自有品牌DRAM产品预计2021年上半年推出，主要面向消费类、工业控制类及车规等利基市场。那么兆易创新能否靠此次推出的 DRAM 产品改变毛利率下降的局面呢？

笔者认为不行：

在存储芯片领域，兆易创新如果依靠NOR Flash提升毛利率效果有限，而目前NAND Flash难以与大厂抗衡，只能把希望放在DRAM产品上。

在DRAM产品方面， 兆易创新 目前是一个“代理商”的角色，出售的是合肥长鑫的DRAM。在芯片行业当“代理商”毛利率低。

根据公告可以推测，今年兆易创新没打算制造自己设计的DRAM芯片。

如果今年不能推出自己设计的DRAM芯片， “贴牌”或者“买芯片做模组”毛利率也不是很高，整体毛利率很难提升。

世界第三的NOR Flash厂商 兆易创新

2020年第一季度，旺宏、华邦、兆易创新在NOR Flash全球市场占有率排名前三，市场份额分别为26.2%、24.5%、18.8%。

兆易创新的现有业务布局分为存储（Flash、DRAM）、MCU和传感器，其中存储芯片营收占比最高。而NOR Flash就属于一种存储芯片。

数据来自网络

NOR Flash的优势：应用范围非常广，比如汽车电子、IoT、人工智能、路由器、机顶盒、手机、PC、VR、5G等。

NOR Flash的劣势：单价低，一个一般也就几块钱。而且一般情况下，一个设备也就用一块NOR Flash。在使用数量少和单价低的共同影响下，NOR Flash的市场价值比起NAND之类的存储芯片明显小很多，属于存储芯片行业的小众市场。

一款兆易创新 8Mb NOR Flash单价3.07元

以业界主流使用的8MB NOR Flash为例，售价仅为3元左右。对于很多数码设备来说这样的价格占总成本中的比重并不高。也因此NOR Flash看似参与到了很多行业中，但在存储器市场中的占比远低于DRAM和NAND Flash。

因此如果想靠NOR Flash拉升毛利率，作用十分有限。

难以抗衡大厂的NAND Flash业务

兆易创新的 NAND Flash产品主要为SLC NAND，在NAND Flash产品方面，目前SLC NAND主流工艺节点在19nm-38nm，兆易创新的成熟工艺节点为38nm，同时24nm工艺节点的产品也已经实现量产。目前正在量产的产品容量从1Gb至8Gb覆盖主流容量范围。

美光SLC NAND

但是，单颗NAND如果容量只在8Gb的话，对于大容量存储还是不太够的。以美光（Micron）的SLC NAND为例，美光提供的SLC NAND容量从1Gb至256Gb，这显然是大于兆易创新的1Gb至8Gb。

除了大容量存储，其实还是有一些小容量存储使用NAND的场景，在这些场景下兆易创新的NAND还是可以发挥优势的。但总体来说NAND市场还是属于像美光、海力士、三星这样大厂的天下。

自研DRAM 2021年未必会出现

兆易创新目前在DRAM业务方面是一个“代理商”。兆易创新目前销售的DRAM是合肥长鑫的，兆易创新从2020年开始销售合肥长鑫DRAM产品。

早在2020年3月兆易创新就与长鑫存储及其各自子公司签署《框架采购协议》、《代工服务协议》及《产品联合开发平台合作协议》日常交易框架协议。

《框架采购协议》就是指兆易创新向合肥长鑫DRAM采购DRAM产品。而《代工服务协议》则是指合肥长鑫向兆易创新提供代工服务。

兆易创新是一个无厂模式（Fabless）运营的芯片公司，无厂模式简单来说就是只管芯片设计，不管芯片制造的公司。因此兆易创新想要生产任何芯片都需要找晶圆厂代工。

而此次签署的《代工服务协议》就是为了以后自研DRAM设计完成之后找合肥长鑫进行代工生产。而在之后的补充协议中又将这三大协议的有效期延展到了2030年，可以据此推测至少近几年内兆易创新如果想制造DRAM都会找长鑫代工了。

那么为什么说兆易创新自研的DRAM 2021年未必会出现呢？

出自兆易创新2020年3月的公告

公告中显示，在2020年预计接受代工服务涉及的金额为0，也就是说2020年兆易创新并不打算让合肥长鑫代工生产芯片。在后续的投资者关系活动中的回答的内容也证明了这点。

在2020年3月的投资者关系活动记录表中我们可以找到原因。在其中一条回答中称“因为公司的DRAM产品还没有研发出来，所以代工业务2020年暂时无金额。”

在2021年2月，兆易创新发布了《关于拟签署框架采购协议及预计2021年度日常关联交易额度的公告》。

出自兆易创新2021年2月的公告

这个公告主要就是为了公示与长鑫日常关联交易的预计金额，可能有些人也注意到了，此次公示中原来的“三大协议”少了一个，而且少的就是之前金额为0的《代工服务协议》。

为什么会少一个《代工服务协议》的预算呢？如果说2021年这个协议的预算也为0，那么没有这方面的预算确实可以理解。如果有这方面的预算，但是不公示，这种可能性就比较小了。

那么如果《代工服务协议》今年的预算真为0，那么意味着什么呢？

兆易创新今年没打算让长鑫“代工”生产DRAM芯片。

这不免让疑惑，难道今年兆易创新自研的DRAM不生产了吗？而且上年实际从长鑫采购的DRAM产品金额为0.54亿美元，今年就直接预计3亿美元。兆易创新给出的理由为“市场需求旺盛，市场开拓空间进一步提升，公司备货水平相应提高”。不过今年如果能如期推出自己的DRAM产品，为什么还要去找长鑫加大备货量呢？卖自己的产品，毛利率还能高一点，不香吗？因此兆易创新自研DRAM 2021年未必会出现。

不过有些细心的人可能会发现，兆易创新基本没怎么提过“自研”的事。兆易创新无论是在年报上还是在投资者关系活动上，所用的表述都是“自有品牌”。“预计将于2021年上半年推出第一颗自有品牌的DRAM产品”。

“自有品牌”范围可就大了，除了“自研”以外，还可以买长鑫的芯片自己做模组，或者买长鑫的产品“贴牌”出售。

如果是买长鑫的芯片自己做模组，买芯片的交易额走的是“采购Dram产品”（就预算大幅上涨的那个），而且做出来的模组确实可以算“自有品牌的DRAM产品”。

能破局吗？

一般来说在芯片行业，代售其它厂家的芯片毛利率始终是不会高的。就像现在兆易创新代售长鑫的DRAM。而提高毛利率的最简单途径，就是自研。如果说2021年上半年推出的DRAM产品是自研的，比如兆易创新设计，长鑫制造。那么毛利率肯定会提升。但如果只是贴牌或者做模组的话，那毛利率可能就会表现得比较一般了。

补充资料：存储芯片

作为补充说明，我们来聊聊存储芯片是如何存储数据的。在远古时期，人们可以通过结绳记事的方式记录信息。而在现代，晶体管出现了，人们可以把大量数据存在芯片里了。

我们来假设一下，在结绳记事的时代，如果绳子的一个地方打一个结，就代表早上吃过饭了。如果这个地方没有结，那么就说明早上没吃饭。那么“早上吃没吃过饭”这个信息就通过简单的一个结记录了下来。

而到了现代，数据的基础很多是用“0”和“1”来构成的。那么如何记录下0和1呢？这时候我们肯定不能在芯片里像结绳记事那样打结，但有类似的方式记录，比如电压。电压高时可以记做1，电压低时可以记做0。

而对应芯片的存储单元也会被设计成能够存储高电压或者低电压信息的结构，就像结绳记事里的结。

一种存储单元

在如图所示的结构中，如果我们把电荷放在存储单元的存储电容器中，这就可以使晶体管导电，电荷传至位线，使电压上升。这时就是高电压状态，表示数据为“1”。

注：除了电压以外还可以通过：磁、电阻等介质来存储信息。

而根据存储的具体方式不同，存储芯片又能分成很多种类。NOR Flash、NAND Flash和DRAM是三种不同的存储芯片，其中NOR Flash、NAND Flash属于非易失性存储芯片，DRAM属于易失性存储芯片。

简单来说两者的区别在于断电之后能否保存数据。易失性存储断电之后不能保存数据，里面的数据只能临时存放。以电脑上的内存条为例，内存条上的存储颗粒就属于DRAM。

DDR4内存条 截取自金士顿官网

而非易失性存储的特点就是断电之后依旧能保存数据，里面的数据可以长期存储。以电脑上的固态硬盘为例，固态硬盘上的存储颗粒大多为NAND Flash。

UV500 SATA 固态硬盘（mSATA）截取自金士顿官网

NAND Flash可以再细分成SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）、TLC（Trinary-Level Cell）、QLC（Quad-Level Cell）等。就像我们平时说买一块TLC的固态，TLC指的就是固态硬盘所用的NAND Flash类型为TLC。

另一种非易失性存储是 NOR Flash ，NOR Flash一次读写一个字或字节的数据，因此能够对各地址执行随机存取。而NAND Flash芯片的尺寸比NOR Flash小，能够实现更高的存储密度，使存储容量更大，且制造成本更低。因此NAND Flash已成为大容量存储设备的主流选择，除了前文提到的固态硬盘，还有U盘、SD卡等。而NOR Flash则一般用于存储一些小数据，比如配置信息。电脑主板中的BIOS信息就会存储在NOR Flash中。

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