台积电三星3nm研发遭遇挑战 但外媒称仍有足够时间在2022年开始量产

1月5日消息，据国外媒体报道，在此前的报道中，英文媒体援引产业链方面的消息报道称，台积电和三星的3nm工艺研发均遭遇关键瓶颈，研发进度也不得不推迟。

台积电和三星的3nm工艺研发遭遇挑战，是否会影响到最终的量产时间也备受关注，但外媒在报道中表示，目前仍有足够的时间在2022年开始量产。

3nm是5nm之后芯片制程工艺上的一个完整的技术跨越，芯片的晶体管密度、速度和能耗，较5nm都将会有明显的提升。

在3nm工艺上，台积电和三星这两大芯片代工商走的是不同的路线，台积电仍将采用成熟的鳍式场效应晶体管技术（FinFET），外媒称三星将采用环绕栅极晶体管技术（GAA）。

台积电CEO魏哲家，在此前的财报分析师电话会议上曾多地谈到3nm工艺，他表示3nm工艺计划2021年风险试产，他们的目标是在2022年下半年大规模量产。这也就意味着目前距离量产还有一年半的时间，他们也需要尽快攻克所遇到的关键瓶颈，以便在今年完成风险试产，进而在明年下半年大规模投产。

生成海报

免责声明：本网站内容主要来自原创、合作伙伴供稿和第三方自媒体作者投稿，凡在本网站出现的信息，均仅供参考。本网站将尽力确保所提供信息的准确性及可靠性，但不保证有关资料的准确性及可靠性，读者在使用前请进一步核实，并对任何自主决定的行为负责。本网站对有关资料所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。任何单位或个人认为本网站中的网页或链接内容可能涉嫌侵犯其知识产权或存在不实内容时，应及时向本网站提出书面权利通知或不实情况说明，并提供身份证明、权属证明及详细侵权或不实情况证明。本网站在收到上述法律文件后，将会依法尽快联系相关文章源头核实，沟通删除相关内容或断开相关链接。